ダイトップシステム (DTS®)
ダイ電流能力を最大50%以上向上、寿命を最大50倍以上延長
200℃以上のジャンクション温度を可能にし、電源のディレーティングを低減
最適な性能と信頼性を実現するカスタマイズ可能なコンフィギュレーション
開発プロセスと技術革新の加速
ダンフォス社Danfoss BondBuffer®テクノロジーとの提携を含む、協力的パートナーシップ
ヘレウス・エレクトロニクスのダイトップシステム(DTS®)は、従来のダイボンディングの制約を乗り越え、パワーモジュールの寿命と電力密度において次世代レベルの性能を発揮します。DTSへの移行により、ハイパワーアプリケーションの耐久性と効率が飛躍的に向上します。
ヘレウス・エレクトロニクスのDTS® は、信頼性と通電能力において大きな進歩を遂げています:
性能の向上:はんだダイアタッチやアルミワイヤーボンディングと比較して、ダイ電流能力が 50%以上寿命が 50 倍以上向上。
接合部温度の向上:200°C を超えることが可能で、電力ディレーティングの低減とチップサイズの縮小が可能。
コスト効率の最大化:はんだダイアタッチやアルミワイヤーボンディングと比較して、ダイ電流能力が50%以上、寿命が50倍以上向上。
卓越した技術とカスタマイズ
ヘレウスのDTS® は、高精度とカスタマイズの必要性を認識し、比類のない技術的優位性と、お客様の特定の要件に合わせた形状を提供します:
ボンド基板オプション:Ag、Au、Pdなどの機能性表面を持つCuやCu合金のようなさまざまなコア材料。厚さ30~500µm、熱伝導率180~390W/mK、引張強度200~650N/mm2。
あらかじめ塗布された銀-はんだ層:推奨圧力範囲10~30MPa、推奨温度範囲230~280℃で最適な焼結ができるように設計されています。熱伝導率は150W/mK以上で、洗浄工程は不要です。
ヘレウスのチームは、お客様が設計に最適な形状を見つけるサポートを行います。ヘレウスの施設には、DTS内のすべての材料間のマッチングをテストし、システムの性能と信頼性の両方を最大化するための設備が整っています。
ヘレウス・エレクトロニクスとのパートナーシップ:
ヘレウスは、開発プロセスを加速させるパートナーとなります。ヘレウスの豊富な経験と革新的な技術をご活用ください。また、お客様への宣言書に記載されている通り、秘密保持と知的財産権は維持されますのでご安心ください。
ヘレウス・エレクトロニクスはダンフォス社と戦略的に提携し、ヘレウス・エレクトロニクスとダンフォス社の知的財産権にもとづくDanfoss BondBuffer® 技術を組み込むことで、業界の進歩を促進し、最先端のソリューションを提供しています。
ダイトップシステムは、ワイドバンドギャップ半導体や次世代の高温アプリケーションを可能に: