Die Top System (DTS®) 

  • Eine um bis zu über 50 % erhöhte Stromtragefähigkeit des Chips und bis zu über 50-mal längere Lebensdauer

  • Ermöglicht Sperrschichttemperaturen von über 200 °C, für eine geringere Leistungsreduzierung

  • Anpassbare Konfigurationen für optimale Leistung und Zuverlässigkeit

  • Beschleunigte Entwicklungsprozesse und technische Innovation

  • Partnerschaften wie die Zusammenarbeit mit der BondBuffer®-Technologie von Danfoss

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Die Top System (DTS®) von Heraeus Electronics – Die beste Wahl für Ihr Leistungsmodul

Erleben Sie ein vollkommen neues Leistungsniveau bei der Lebensdauer und Leistungsdichte von Leistungsmodulen mit dem Die Top System (DTS®) von Heraeus Electronics, mit dem Sie sich von den Einschränkungen konventioneller Die-Verbindungen lösen können. Stellen Sie auf DTS® um und profitieren Sie von der außerordentlichen Steigerung der Haltbarkeit und Effizienz Ihrer Hochleistungsanwendungen.

Die Hauptmerkmale des Die Top System (DTS®) von Heraeus Electronics

DTS® von Heraeus Electronics zeichnet sich durch große Fortschritte sowie thermischen und elektrischen Belastbarkeit aus:

  • Verbesserte Leistung: Eine um mehr als 50 % höhere Stromstärke des Chips und eine mehr als 50-mal längere Lebensdauer im Vergleich zum Die-Attach-Löten und Aluminiumdrahtbonding.
  • Höhere Sperrschichttemperaturen: Kann 200 °C überschreiten, was eine geringere Leistungsreduzierung und eine potenzielle Verringerung der Chipgröße ermöglicht.
  • Maximale Kosteneffizienz: Signifikante Senkung der Kosten pro Ampere für optimierte Leistung und Rentabilität.

Technische Exzellenz & Anpassung

Heraeus Electronics DTS® hat den Bedarf an Präzision und individueller Anpassung erkannt und bietet herausragende Technik mit maßgeschneiderten Konfigurationen für Ihre spezifischen Anforderungen:

  • Auswahl an Bondsubstraten: Vielfalt an Kernmaterialen wie Cu und Cu-Legierungen mit funktionalen Oberflächen wie Ag, Au oder Pd. Dicke von 30–500 µm, Wärmeleitfähigkeit von 180–390 W/mK und Zugfestigkeit von 200–650 N/mm2.
  • Vorgefertigte Ag-Sinterschicht: Entwickelt für optimales Sintern mit einem empfohlenen Druckbereich von 10–30 MPa und einem Temperaturbereich von 230–280 °C. Hervorragende Wärmeleitfähigkeit von > 150 W/mK, ein Reinigungsverfahren ist nicht erforderlich.

Ausgerichtet auf Exzellenz

Unser Team unterstützt Sie dabei, die optimalen Konfigurationen für Ihr Design zu finden. Wir haben gut ausgestattete Anwendungszentren, in der die Abstimmung zwischen allen Materialien innerhalb des DTS getestet und perfektioniert werden kann, um sowohl die Systemleistung als auch die Zuverlässigkeit zu maximieren.

Werden Sie Partner von Heraeus Electronics: 
Wenn Sie sich für Heraeus entscheiden, gewinnen Sie einen Partner mit der Fähigkeit, Ihren Entwicklungsprozess zu beschleunigen und zu verfeinern. Profitieren Sie von unserer großen Erfahrung und Innovationskraft. Sie können sich darauf verlassen, dass die Vertraulichkeit und die Rechte am geistigen Eigentum gewahrt werden, wie in unserer Kundenerklärung dargelegt.

Heraeus Electronics arbeitet strategisch mit Danfoss zusammen, um die BondBuffer®-Technologie von Danfoss im Rahmen spezifischer IP-Rechte von Heraeus Electronics und Danfoss einzubinden. So können wir den Fortschritt in der Branche fördern und Ihnen innovative Lösungen bieten.

Das Die Top System ermöglicht das Ausnutzen der Wide-Band-Gap-Halbleiter für zukünftige Hochtemperaturanwendungen:

  • Automobilindustrie – Antrieb H(EV)

  • Windkraft
  • Traction
  • Leistungsumwandlung