Energieeffizienz spielt eine entscheidende Rolle bei der Reduzierung der CO2-Emissionen und der Erreichung der Klimaneutralität. Galliumnitrid-Chips (GaN) haben sich in dieser Hinsicht als bahnbrechende Technologie erwiesen. Sie liefern mehr Leistung bei kompakter Größe, sorgen für eine hocheffiziente Energieumwandlung und minimieren den CO2-Fußabdruck digitaler Geräte.
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Im Rahmen des ALL2GaN-Projekts wird sich Heraeus Electronics auf die Entwicklung innovativer Advanced-Packaging-Materialien konzentrieren, die speziell auf die neue Generation von GaN-Chips zugeschnitten sind. Diese Materialien werden die Miniaturisierung und hohe Leistungsdichte von GaN-Chips unterstützen und ihre nahtlose Integration in eine Vielzahl von Anwendungen ermöglichen.
Ziel des Projekts ist es, eine modulare und leicht anpassbare GaN-Leistungshalbleiter-Toolbox zu schaffen, die eine schnelle Integration in verschiedene Anwendungen ermöglicht. Diese Vielseitigkeit wird zu einer höheren Energieeffizienz und geringeren CO2-Emissionen führen. Telekommunikation, Rechenzentren, Serverbetriebe, E-Mobilität, erneuerbare Energien und Smart-Grid-Lösungen gehören zu den Branchen, die von der hochintegrierbaren GaN-Chipgeneration „Made in Europe“ profitieren werden. Prognosen deuten darauf hin, dass diese neue GaN-Chip-Generation die Energieverluste in Anwendungen um durchschnittlich 30 Prozent reduzieren und damit weltweit etwa 218 Megatonnen CO2 einsparen kann.
„ALL2GaN ist ein bedeutender Schritt zur Erreichung der Ziele des European Green Deal. Durch die Entwicklung kosteneffizienter und einfach integrierbarer GaN-Chips beschleunigen wir den Übergang in eine grünere und nachhaltigere Zukunft“, sagte Dr. Michael Jörger, Leiter der Business Line Power Elektronische Materialien. „Wir freuen uns, mit führenden Industriepartnern zusammenzuarbeiten und zur Weiterentwicklung energiesparender Technologien beizutragen, die mehreren Sektoren zugute kommen und den CO2-Fußabdruck reduzieren.“
Das ALL2GaN-Projekt steht im Einklang mit den Zielen der Europäischen Union, die Klimaneutralität voranzutreiben, nachhaltiges Wachstum zu fördern und eine wettbewerbsfähige und widerstandsfähige europäische Industrie aufzubauen. Es ist ein wichtiger Baustein des „European Chips Act“, der die Entwicklung eines robusten europäischen Chip-Ökosystems fördert und zur europäischen Technologiesouveränität beiträgt.
Heraeus Electronics setzt sich dafür ein, Innovation und Nachhaltigkeit in der Leistungselektronikindustrie voranzutreiben, und seine Teilnahme am ALL2GaN-Projekt zeigt sein Engagement für die Gestaltung einer grüneren und energieeffizienteren Zukunft.
Weitere Informationen zum ALL2GaN-Projekt finden Sie auf der offiziellen Projektwebsite: https://www.all2gan.eu/home .
Dieses Projekt wird vom KDT Joint Undertaking unter der Fördervereinbarung Nr. 101096884 und Österreich, Belgien, der Tschechischen Republik, Dänemark, Deutschland, Griechenland, den Niederlanden, Norwegen, der Slowakei, Spanien, Schweden und der Schweiz unterstützt.
Gefördert durch die Europäische Union. Die geäußerten Ansichten und Meinungen stammen jedoch ausschließlich von den Autoren und spiegeln nicht notwendigerweise die der Europäischen Union, der KDT JU oder der nationalen Bewilligungsbehörden wider. Weder die Europäische Union noch die Bewilligungsbehörden können dafür verantwortlich gemacht werden.
In Deutschland wird dieses Projekt vom Bundesministerium für Bildung und Forschung kofinanziert (Projektnummer 16MEE0286).
